Kapasitor Film Arus Tinggi Snubber pikeun Mesin Las (SMJ-TC)

Luhur-Ayeuna Film kapasitor Snubber pikeun Mesin las (SMJ-TC) Feature Gambar

Katerangan pondok:

Modél kapasitor: SMJ-TC

Fitur:

1. éléktroda kacang tambaga

2. Ukuran fisik leutik tur instalasi gampang

3. Téknologi pungkal pita Mylar

4. Keusikan résin garing

5. Low Equivalent Series Inductance (ESL) and Equivalent Series Resistance (ESR)

Aplikasi:

1. GTO Snubber

2. Tegangan Puncak sareng Nyerep Arus Puncak sareng Perlindungan pikeun Ngalihkeun Komponén dina Peralatan Éléktronik

Sirkuit snubber penting pisan pikeun dioda anu digunakeun dina sirkuit switching.Bisa ngahemat dioda tina paku overvoltage, nu bisa timbul salila prosés recovery sabalikna.

Kirim surélék ka kami Unduh salaku PDF

Rincian produk

Tag produk

data teknis

Kisaran suhu operasi	Suhu operasi Max., Luhur, max: + 85 ℃ Suhu kategori luhur: + 85 ℃ Suhu kategori handap: -40 ℃
rentang kapasitansi	0,22～3μF
tegangan dipeunteun	3000V.DC ~ 10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Tahan tegangan	1.35Un DC/10S
Faktor dissipation	tgδ≤0,001 f=1KHz
lalawanan insulasi	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (dina 20 ℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (dina 20℃ 100V.DC 60S)
Tahan arus mogok	tingali datasheet
Harepan hirup	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
Standar rujukan	IEC 61071 ;

Fitur

1. pita Mylar, Disegel jeung résin;

2. Tambaga nut ngarah;

3. Résistansi kana tegangan tinggi, tgδ low, naékna suhu low;

4. ESL lemah sareng ESR;

5. Arus pulsa tinggi.

Aplikasi

1. GTO Snubber.

2. Loba dipaké dina parabot éléktronik kakuatan nalika tegangan puncak, panyalindungan nyerep ayeuna puncak.

sirkuit has

Gambar outline

Spésifikasi

Teu = 3000V.DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Teu = 6000V.DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Teu = 7000V.DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Teu = 8000V.DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70